近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。

　　为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、奇亿怎么注册。更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V爱仕特已量产3300V60A高压大电流碳化硅MOSFET、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。

　　目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。

　　相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。

　　爱仕特掌握国内领先的碳化硅核心技术，新一代的碳化硅工艺可降低芯片成本近15%，同等规格下的芯片面积比国内同行小15%—20%，能够为客户创造更大的经济效益。