主页,【荣耀娱乐】/主页标签: 无标签 DC/DC 变换器技术的现状及趋势( 转载) 这是收集李龙文老师发表的文章,这些文章对我学****电源技术可以说是具体非常大的指导作用,拿出来和大家一起分享! 简单介绍一下李龙文老师: 李龙文, 1966 年北京工业大学电机系毕业,从事线性 IC设计研发,曾任北京半导体五厂总工程师, 1996 年评为教授级高级工程师。在国内最早研发成功 7800 系列、 7900 系列三端线性稳压器,在国内最早研发成功 SG3525 、U C3842 、 TL431 等开关电源用系列 PWM 及稳压基准 IC,先后获北京市科技成果三等奖,国企退休后先后任某电源公司研发经理及顾问,现为中国电源学会常务理事、《电源技术应用》编委。 DC/DC 变换器技术的现状及趋势作者:李龙文摘要:从工程实际的角度介绍了 DC/DC 技术的现状及发展,给出当今国际顶级 DC/DC 产品的实用技术、专利技术及普遍采用的特有技术。指出了半导体技术进步给 DC/DC 技术带来的巨大变化。并指出了 DC/DC 的数字化方向。关键词:有源箱位软开关同步整流级联拓朴 MCU 控制高效率高功率密度 DC/DC 分布式电源系统应用的普及推广以及电池供电移动式电子设备的飞速发展,其电源系统需用的 DC/DC 电源模块越来越多。对其性能要求越来越高。除去常规电性能指标以外,对其体积要求越来越小,也就是对其功率密度的要求越来越高,对转换效率要求也越来越高,也即发热越来越少。这样其平均无故障工作时间才越来越长,可靠性越来越好。因此如何开发设计出更高功率密度、更高转换效率、更低成本更高性能的 DC/DC 转换器始终是近二十年来电力电子技术工程师追求的目标。例如:二十年前 Lucent 公司开发出第一个半砖 DC/DC 时, 其输出功率才 30W ,效率只有 78% 。而如今半砖的 DC/DC 输出功率已达到 30 0W ,转换效率高达 % 。从八十年代末起,工程师们为了缩小 DC/DC 变换器的体积,提高功率密度, 首先从大幅度提高开关电源的工作频率做起,但这种努力结果是大幅度缩小了体积,却降低了效率。发热增多,体积缩小,难过高温关。因为当时 MOSFET 的开关速度还不够快,大幅提高频率使 MOSFE T的开关损耗驱动损耗大幅度增加。工程师们开始研究各种避开开关损耗的软开关技术。虽然技术模式百花齐放,然而从工程实用角度仅有两项是开发成功且一直延续到现在。一项是 VICOR 公司的有源箝位 ZVS 软开关技术;另一项就是九十年代初诞生的全桥移相 ZVS 软开关技术。有源箝位技术历经三代,且都申报了专利。第一代系美国 VICOR 公司的有源箝位 ZVS 技术,其专利已经于 2002 年 2月到期。 VICOR 公司利用该技术, 配合磁元件,将 DC/DC 的工作频率提高到 1MHZ ,功率密度接近 200W/in3 , 然而其转换效率却始终没有超过 90% ,主要原因在于 MOSFET 的损耗不仅有开关损耗,还有导通损耗和驱动损耗。特别是驱动损耗随工作频率的上升也大幅度增加,而且因 1MHZ 频率之下不易采用同步整流技术,其效率是无法再提高的。因此,其转换效率始终没有突破 90% 大关。为了降低第一代有源箝位技术的成本, IPD 公司申报了第二代有源箝位技术专利。它采用 P沟 MOSFE T在变