首页·博悦娱乐挂机·首页，在新能源汽车领域，低压的继电器和保险已逐步被电力电子器件取代，机械电子化成为发展趋势。因为电子器件取代机械继电器，不仅大大提高了寿命，没有开关噪音，同时也降低了体积、重量和成本。本文将介绍一款瞻芯电子开发的新型固态预充继电器方案。

　　在新能源汽车中，高压电池包与主逆变器相连，但两者的瞬时功率、电压和频率不同，因此主逆变器需要并联母线电容，起到缓冲和过滤作用。

　　在整车上电工作前，要先闭合电池包与后级电容之间的主继电器，若上电之前母线电容没有预充电，则继电器前后的电压差太大，那么在电路闭合瞬间，相当于电池短路而产生瞬间大电流，会导致继电器过热，导致继电器触头粘连，甚至引发安全事故。

　　因此主继电器必须并联一个预充电电路，为母线电容充电，来减小上电瞬间的冲击电流，也保护电池、主继电器、电容。

　　瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案，采用恒流控制的buck电路，可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）SBD组成恒流充电回路，整个预充过程电流恒定，既降低了对于功率器件的要求，同时也大大提高了预充速度，而且不需要电阻，即可让后级电容充到母线电压。电气回路示意图如下：

　　如下是控制回路示意图，与传统继电器控制类似，只需要一组信号，同时提供驱动供电和控制信号，可以高频控制。而且，还能通过调整功率器件来增加或减小预充电流，满足不同的系统要求，充电效率高。

　　对比固态预充方案，传统预充方案（机械式的继电器+电阻）有诸多的缺陷，比如：体积大、响应开关慢、充电慢，由于采用RC充电时间问题，母线电容无法完全充到电池电压，所以对于主继电器还是有损伤的。

　　瞻芯电子固态预充方案在800V平台新能源汽车上，不仅性能优异，还能做到更低的系统成本，下表为800V平台上两种方案的对比：

　　瞻芯电子固态预充解决方案，对比传统预充方案，体积大幅降低70%以上，外形尺寸如下：

　　瞻芯电子的固态预充方案因其诸多优点，得到了多个Teir1厂家的积极响应，不过电子方案若要大范围取代机械方案，还需建立和完善相关测试标准及行业规范。

　　总体上，机械电子化是很有前景和想象力的发展趋势，不仅可以用于新能源汽车，还可用于其它具有高压电池包的产品，如UPS、储能等。未来随着碳化硅（SiC）的普及和降本，我们希望未来采用碳化硅（SiC）MOSFET的方案可以替代主继电器。

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　　本文由Vicky转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:新能源汽车恒流预充固态继电器方案，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

　　高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。目前，SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。

　　当前，受市场和政策双重驱动影响，我国充电桩市场规模持续扩大。这主要体现在以下几点：1.新能源汽车的爆发式增长推动了对快充需求的急剧扩大。而快充又可以分为高电压快充和大电流快充，其中高压快充更受桩企和车企的偏爱。2.随着充电桩技术日渐成熟和市场需求扩大，L3直流充电桩将成为未来公共桩的发展方向。3.目前国内普及800V高压技术的态势已经明朗，各大车企都在加大研发投入，布局800V高压电池。

　　新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

　　高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。

　　近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

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　　为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。

　　爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

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　　本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

　　本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

　　瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证

　　近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

　　功率MOSFET管检测：动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

　　可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。

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